IBS, 원자층 단위 모듈형 트랜지스터 제작 기술 개발
하나의 박막에 반도체·절연체·준금속 영역을 구현하는 방식이다.
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30초 요약
기초과학연구원(IBS) 조문호 단장 연구팀이 2차원 반도체를 원자층 단위로 가공해 하나의 박막에 반도체, 절연체, 준금속 영역을 구현하는 모듈형 트랜지스터 제작 기술을 개발했다고 과학기술정보통신부가 15일 밝혔다. 연구팀은 2차원 반도체를 이루는 원자 중 주변 셀레늄 원자만 바꾸는 방식을 썼다. 연구 결과는 학술지 사이언스에 게재됐다.
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WHAT · 무슨 일이 있었나
연구팀은 이셀레늄화텅스텐(WSe₂)의 텅스텐 원자층은 두고 셀레늄 원자만 다른 원자로 바꾸는 방식을 사용했다. 반응 온도와 기체 압력을 조절해 원자층 단위로 물질을 변환했고, 마스크를 활용해 원하는 위치만 선택적으로 바꿨다. 연구진은 금속 전극에서 반도체로 전하가 이동할 때의 에너지 장벽이 35.5meV로 낮아졌다고 밝혔다. 이는 금속 전극을 직접 붙이는 경우와 비교해 약 3분의 1 수준이라고 설명했다. 이 수치는 연구진의 발표에 근거한 것이다.
WHY · 왜 중요한가
차세대 초미세·저전력 반도체 공정의 새로운 경로가 될 수 있어, 향후 반도체 설계와 제조 방식에 영향을 줄 수 있다.
타임라인
과학기술정보통신부가 연구 성과를 발표했다
IBS, '모듈형 트랜지스터 제작' 기술 개발...초미세·초저전력 반도체 구현 新공정 패러다임 제시연구 결과가 사이언스에 게재됐다고 보도됐다
IBS, 0.7nm급 차세대 반도체 소자 제작 기술 개발…'사이언스' 실려
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